Renesas Electronics erwirbt Transphorm und erweitert sein Angebot an Energiesemiconductoren

Neues Kapitel in der Elektronikwelt: Renesas erweitert sein Angebot um GaN-Technologie mit der Übernahme von Transphorm

Renesas Electronics, ein führender japanischer Halbleiterhersteller, hat kürzlich die Übernahme des kalifornischen Unternehmens Transphorm abgeschlossen. Transphorm ist spezialisiert auf die Entwicklung von Galliumnitrid (GaN) für die Leistungselektronik. Durch diese Übernahme erweitert Renesas sein Produktportfolio um innovative GaN-basierte Lösungen, die unter anderem für den Einsatz in Elektrofahrzeugen bestimmt sind.

Diese strategische Akquisition unterstreicht Renesas‘ Bestreben, seinen Kunden eine vielfältige Auswahl an Leistungshalbleitern anzubieten. Neben Silizium setzt das Unternehmen auch auf Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid (SiC) und nun GaN, um den unterschiedlichsten Anforderungen gerecht zu werden.

Die Übernahme von Transphorm ist nicht nur ein Meilenstein in Renesas‘ Expansionsstrategie, sondern auch ein wichtiger Schritt, um die GaN-Technologie gezielt für Anwendungen in der Automobilindustrie, in Rechenzentren, erneuerbaren Energien, Industrie und Verbraucherelektronik einzusetzen. Die Integration von GaN in das Produktportfolio von Renesas bringt innovative Leistungslösungen hervor, die die technologischen Stärken beider Unternehmen vereinen.

Um den Kunden sofort Nutzen zu bieten, hat Renesas bereits zum Zeitpunkt der Transaktion 15 einsatzbereite Referenzdesigns eingeführt. Diese Designs kombinieren die neuen GaN-Produkte mit den bewährten Signalverarbeitungs-, Leistungs-, Konnektivitäts- und analogen Lösungen von Renesas. Zu den Highlight-Lösungen gehören GaN-basierte Automotive-Qualitätsprodukte für eingebettete Batterieladegeräte (OBC) und Antriebssysteme von Elektrofahrzeugen.